[发明专利]一种具有减反射膜的五结级联光伏电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有减反射膜的五结级联光伏电池的制造方法，在InP衬底（1）的上依次形成ＧａＡｓ子电池（2）、ＧａＩｎ Ａｓ子电池（3）、第一减反射层（4）、ＧａＩｎＰ子电池（5）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子电池（6）、第二减反射层（7）、第三减反射层（8）、ＧａＩｎＰ子电池（9）、第四减反射层（10）、第五减反射层（12）、第六减反射层（13）；在第六减反射层（13）的表面上形成顶电极（11）；在InP衬底（1）的整个下表面形成底电极（14）。

主权项

一种具有减反射膜的五结级联光伏电池的制造方法，其特征在于：该制造方法依次包括如下步骤：步骤一：在InP衬底（1）上利用MOVCD工艺依次生长ＧａＡｓ子电池（2）和ＧａＩｎＡｓ子电池（3）；步骤二：采用真空镀膜机，在ＧａＩｎＡｓ子电池（3）上蒸镀第一减反射层（4）；步骤三：利用MOCVD工艺在第一减反射层（4）上依次生长Ｇａ ＩｎＰ子电池（5）和应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子电池（6）；步骤四：利用MOCVD工艺在应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子电池（6）上生长第二减反射层（7）；步骤五：采用真空镀膜机，在第二减反射层（7）上蒸镀第三减反射层（8）；步骤六：利用MOCVD工艺在第三减反射层（8）上生长ＧａＩｎ Ｐ子电池（9）；步骤七：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ子电池（9）上依次生长第四减反射层（10）和第五减反射层（12）；步骤八：采用真空镀膜机，在第五减反射层（12）上蒸镀第六减反射层（13）；步骤九：在第六减反射层（13）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第 五减反射层（12）和第六减反射层（13），直至露出第四减反射层（10）为止；步骤十：采用溅射工艺在第四减反射层（10）的将要形成顶电极（11）的区域表面上溅射金属材料，从而形成所述顶电极（11）；在InP衬底（1）的整个下表面溅射金属材料，以形成底电极（1）。