[发明专利]一种CMOS管的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种CMOS管的掺杂方法，通过采用源区离子注入和漏区离子注入交替进行，并且通过硬质掩模层的遮挡，从而在无需旋转衬底的情况下完成对源区和漏区的掺杂。

主权项

一种CMOS管的掺杂方法，包括如下步骤：（1）．在P型半导体衬底上通过杂质扩散的方法形成N型阱，在N型阱旁边形成绝缘隔离层；此后在P型半导体衬底的表面上形成栅氧化层，在栅氧化层上淀积硬质掩模层；（2）．NMOS管漏区的第一次离子注入：对N型阱的区域涂覆光刻胶以作为离子注入阻挡层；以离子束与水平方向成α的角度对NMOS管的漏区进行第一次掺杂，掺杂杂质为N型杂质，掺杂剂量为漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行NMOS管漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对该NMOS管的漏区进行掺杂，而NMOS管的源区无离子注入；（3）．NMOS管的源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成（90°+α）的角度对NMOS管的源区进行第一次掺杂，掺杂杂质为N型杂质，掺杂剂量为NMOS管源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行NMOS管源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对NMOS管的源区进行掺杂，而NMOS管的漏区无离子注入；（4）．重复步骤2和3，直至NMOS管的源区和漏区完成全部剂量的掺杂；（5）．去除N型阱上的光刻胶，然后在NMOS管的区域表面上涂覆光刻胶，以作为离子注入阻挡层；（6）．PMOS管漏区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成 α的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为PMOS管漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行PMOS管漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对PMOS管漏区进行掺杂，而PMOS管源区无离子注入；（7）．PMOS管源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成（90o+α）的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为PMOS管源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行PMOS管源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对PMOS管源区进行掺杂，而PMOS管漏区无离子注入；（8）．PMOS管漏区的第二次离子注入：重复步骤6，直至PMOS管漏区完成全部剂量的掺杂。（9）．PMOS管源区的第二次离子注入：重复步骤7，直至PMOS管源区完成全部剂量的掺杂。（10）．对CMOS管其进行退火，以激活掺杂杂质。