[发明专利]多晶硅栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201310066824.4 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022026A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅栅极的形成方法，所述多晶硅栅极的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的多晶硅层和掩模层；选择性去除所述掩模层，以形成掩模图形；在所述掩模图形的侧壁上制备侧墙；对所述多晶硅层进行干法刻蚀，以形成多晶硅栅极，刻蚀气体对所述多晶硅栅极的侧壁的刻蚀速率大于所述侧壁上有机物的沉积速率；去除所述侧墙；以及对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成浅槽隔离。在本发明提供的多晶硅栅极的形成方法，能够使得多晶硅栅极具有光滑、平整的侧壁，从而保证多晶硅栅极的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的多晶硅层和掩模层；选择性去除所述掩模层，以形成掩模图形；在所述掩模图形的侧壁上制备侧墙；对所述多晶硅层进行干法刻蚀，以形成多晶硅栅极，刻蚀气体对所述多晶硅栅极的侧壁的刻蚀速率大于所述侧壁上有机物的沉积速率；以及去除所述侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310066824.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于产生X射线图像的装置、系统和方法
- 下一篇：生长期螃蟹饲料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
