[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光器件有效
申请号: | 201310067410.3 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103311420B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 林璨默;李锺昊;金真焕;申永澈;赵秀玄;李镇贤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体发光器件,包括衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元;多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 单元 阵列 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元,每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层;形成在每个发光单元中并且具有相反极性的多个第一电极和多个第二电极;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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