[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光器件有效

专利信息
申请号: 201310067410.3 申请日: 2013-03-04
公开(公告)号: CN103311420B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 林璨默;李锺昊;金真焕;申永澈;赵秀玄;李镇贤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/36
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 陈源,张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体发光器件,包括衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元;多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
搜索关键词: 具有 单元 阵列 半导体 发光 器件
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:衬底;多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元,每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层;形成在每个发光单元中并且具有相反极性的多个第一电极和多个第二电极;多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310067410.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top