[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310068864.2 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103578564B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 金荣柱;辛尚勋 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,石卓琼
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体装置,所述半导体装置包括存储器芯片,所述存储器芯片包括存储器区;数据输入/输出模块,所述数据输入/输出模块被配置成与存储器区通信;以及数据传送/接收模块,所述数据传送/接收模块被配置成将多个通道和焊盘中的一个与数据输入/输出模块连接,其中,所述多个通道被配置成将正常数据输入到另一个芯片和从另一个芯片输出正常数据,并且所述焊盘被配置成输入和输出测试数据。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种包括存储器芯片的半导体装置,所述存储器芯片包括:存储器区;数据输入/输出模块,所述数据输入/输出模块被配置成与所述存储器区通信;以及数据传送/接收模块,所述数据传送/接收模块被配置成将多个通道和焊盘中的一个与所述数据输入/输出模块连接,其中,所述多个通道被配置成将正常数据输入到另一个芯片和从另一个芯片输出正常数据,并且所述焊盘被配置成输入和输出测试数据。
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