[发明专利]非易失性半导体储存装置有效

专利信息
申请号: 201310069188.0 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103310844B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 山崎太郎 申请(专利权)人: 精工半导体有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 何欣亭,李浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种非易失性半导体储存装置,其不会增大电路规模,包括能在适当的升压电压到达时间进行升压动作的升压电路。本发明的非易失性半导体储存装置包括定时产生电路以及根据定时产生电路的信号向升压部的输出提供电流负载的电流负载电路,与存储器单元的擦除或者写入的动作相应地,利用电流负载电路实现适当的升压电压到达时间。
搜索关键词: 非易失性 半导体 储存 装置
【主权项】:
一种非易失性半导体储存装置,具有升压电路,其特征在于,所述升压电路包括升压部、振荡电路、定时产生电路、控制时钟产生电路和电流负载电路,所述定时产生电路,其输入端子连接于所述控制时钟产生电路的输出端子,其输出端子连接于所述升压部的第一输入端子、所述振荡电路的输入端子和所述电流负载电路的输入端子,所述升压部,其第二输入端子连接于所述振荡电路的输出端子,其输出端子连接于所述电流负载电路的输出端子,所述电流负载电路接收从所述定时产生电路产生的定时信号的上升,从所述升压部的输出端子引出负载电流,限制所述升压电路的驱动力,并且接收所述定时信号的下降而停止,停止所述升压电路的驱动力的限制。
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