[发明专利]一种晶圆结构以及应用其的功率器件有效
| 申请号： | 201310069766.0 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103199104A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆结构以及应用其的功率器件，其中所述晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。依据本发明的实施例不仅可以提高功率器件的耐压，同时击穿电压的稳定性也得到了较大的改善，并具有更强的工艺容差能力和更高的终端可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 以及 应用 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种晶圆结构，其特征在于，包括：高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。
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