[发明专利]发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置有效
申请号: | 201310069804.2 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311268A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 柿沼伸明;三浦圣志;石毛刚一;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置,该发光装置在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻的像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率。通过沿第一电极(2)的边缘在绝缘层(1)中设置沟槽,第一电荷传输层(3)的厚度减小以抑制相邻像素之间的泄漏电流。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 图像 形成 显示装置 成像 | ||
【主权项】:
一种发光装置,该发光装置包括在绝缘层上形成的多个有机EL元件,其中:所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极;第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的;第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的;绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;沟槽的深度大于第一电荷传输层的厚度;以及沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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