[发明专利]具有无结垂直栅晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310070019.9 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103311249B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 文正敏;金泰均;李锡熙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种无结垂直栅晶体管，包括有源柱体，所述有源柱体从衬底垂直地突出，并包括第一杂质区、在所述第一杂质区之上顺序地形成的第二杂质区和第三杂质区；栅电极，所述栅电极耦合到所述第二杂质区的侧壁；以及位线，所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列，且每个与所述第一杂质区接触。所述第一杂质区、所述第二杂质区、所述第三杂质区包括相同极性的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 垂直 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源柱体，所述有源柱体从衬底垂直地突出，并且包括第一杂质区、所述第一杂质区之上的第二杂质区、以及所形成的所述第二杂质区之上的第三杂质区；栅电极，所述栅电极形成在所述第二杂质区的侧壁之上；以及位线，所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列，并与所述第一杂质区接触；其中，所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述第三杂质区包括相同极性的杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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