[发明专利]电阻式存储器及其存储单元有效
| 申请号： | 201310072510.5 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104037322B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;吴仕杰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 赵根喜,吕俊清 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器及其存储单元，其中，电阻式存储单元包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅极。第一掺杂区与第二掺杂区同样配置在基底中，栅极配置在基底上，并覆盖部份的第一掺杂区及部分的第二掺杂区，其中，栅极为浮动栅极。此外，第一掺杂区及第二掺杂区分别接收第一参考电压及第二参考电压，且第一掺杂区及第二掺杂区与栅极的重叠区域分别依据第一参考电压及第二参考电压的电压差分别提供不相同的第一阻抗值以及第二阻抗值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储单元，包括：一基底；一第一掺杂区，配置在该基底中；一第二掺杂区，配置在该基底中；一栅极，配置在基底上，并覆盖部份该第一掺杂区及部分该第二掺杂区，该栅极为一浮动栅极，其中，该第一掺杂区及该第二掺杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一掺杂区及该第二掺杂区与该栅极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值。
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