[发明专利]跨域静电放电保护方案有效
| 申请号： | 201310072535.5 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311239A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;林盈彰 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明揭露一种跨域静电放电保护方案。实施例包含将第一电力钳位耦接至第一电力轨与第一接地轨；提供第一NMOS晶体管，其具有第一源极、第一漏极与第一栅极；将该第一源极耦接至第二接地轨；提供第一PMOS晶体管，其具有第二源极、第二漏极与第二栅极；将该第二源极耦接至该第一电力轨；以及于发生在该第一电力轨处的静电放电事件期间，经由该第一电力钳位提供信号以导通该第一NMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 方案 | ||
【主权项】：
一种电路，其包括：第一电力钳位，其耦接至第一电力轨与第一接地轨；第一NMOS晶体管，其具有第一源极、第一漏极与第一栅极，其中，该第一源极耦接至第二接地轨；以及第一PMOS晶体管，其具有第二源极、第二漏极与第二栅极，其中，该第二源极耦接至该第一电力轨，且于发生在该第一电力轨处的ESD事件期间，该第一电力钳位提供用以导通该第一NMOS晶体管的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
