[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种具有高击穿电压并且实现对寄生双极晶体管的作用的抑制的半导体器件以及制造该器件的方法。半导体器件中所包括的高击穿电压p沟道型晶体管具有在半导体衬底中且在所述半导体衬底中的p型区域的主表面侧（上侧）布置的第一n型半导体层、以及在第一p型掺杂剂区域正下方布置为接触所述第一n型半导体层的局部n型掩埋区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有主表面且还具有在其内部区域中的p型区域；以及在所述半导体衬底上/中的高击穿电压p沟道型晶体管，其中，所述高击穿电压p沟道型晶体管包括：布置在所述半导体衬底中且在所述p型区域的主表面侧的第一n型半导体层；形成在所述p型区域之上且在所述主表面中以引出漏极电极的第一p型掺杂剂区域；形成在所述p型区域之上且在所述主表面中以引出源极电极的第二p型掺杂剂区域；以及布置在所述第一p型掺杂剂区域正下方以接触所述第一n型半导体层的局部n型掩埋区域，其中所述第一p型掺杂剂区域包括p型掺杂剂区域和围绕所述p型掺杂剂区域的侧面和底部形成的p型漂移层。