[发明专利]一种减少门效应的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310077322.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051210A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 徐骅;徐朝阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少门效应的等离子体处理装置，在等离子体处理腔室内设置一可上下移动并环绕气体喷淋头的升降环，通过在升降环靠近处理腔室侧壁的一侧固定设置一金属挡片，优选与处理腔室侧壁材料相同的铝质金属挡片，使得所述金属挡片随着升降环降下时能遮挡处理腔室侧壁的门开口，从而能够解决处理腔室侧壁的门开口使得处理腔室内的电场分布不均匀的技术问题。本发明公开的技术方案，结构简单，在现有升降环的基础上，通过螺钉或在升降环靠近处理腔室侧壁的一侧切割出一嵌合所述金属挡片的沟槽的方式将升降环和所述金属挡片固定连接，结构简单，能有效的调节门开口处的电场分布，从而有效调节处理腔室内的电场均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 效应 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种减少门效应的等离子体处理装置，包括：引入有反应气体的真空处理腔室；所述真空处理腔室侧壁设置一门开口；相对设置于所述真空处理腔室内的上电极和下电极，所述下电极上放置有被处理的基片，所述上电极同时作为反应气体注入的喷淋头，所述喷淋头周围环绕设置一可上下移动的升降环；其特征在于：所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁一侧设置一接地的金属挡片，所述升降环处于降下状态时，所述金属挡片遮挡所述真空处理腔室侧壁的门开口。
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