[发明专利]硅片表面处理装置有效
申请号: | 201310078834.X | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104051562B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 王大男;韩允 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种硅片表面处理装置,涉及太阳能电池制造技术领域。解决了使用现有碱洗槽对硅片进行表面处理时由于碱刀和风刀之间的距离固定导致方块电阻上升量不可调,从而使得太阳能电池片的效率受影响的问题。本发明实施例提供的硅片表面处理装置包括用于向硅片表面喷射处理液以从硅片上去除硅层的处理液喷射单元,及用于向硅片表面喷射干燥气体以从硅片上去除处理液的气体喷射单元,其中,处理液喷射单元与气体喷射单元之间的距离可调。 | ||
搜索关键词: | 硅片 表面 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种硅片表面处理装置,包括:用于向所述硅片表面喷射处理液以从所述硅片上去除硅层的处理液喷射单元,及用于向所述硅片表面喷射干燥气体以从所述硅片上去除所述处理液的气体喷射单元,其特征在于,所述处理液喷射单元与所述气体喷射单元之间的距离可调;其中,所述处理液喷射单元的位置可调,而所述气体喷射单元的位置固定;所述处理液喷射单元的位置固定,而所述气体喷射单元的位置可调;或所述处理液喷射单元与所述气体喷射单元的位置均可调。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的