[发明专利]高亮度GaN基绿光LED的MQW结构

摘要

高亮度GaN基绿光LED的MQW结构，涉及一种GaN基绿光LED的外延技术领域，包括生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InyGaN1-y/GaN多量子阱层和p型GaN层，在高温n型GaN层与InyGaN1-y/GaN多量子阱层之间生长由低温n型GaN层、InxGa1-xN/n型GaN超晶格结构层和低温n型GaN层组成的缓冲层，本发明让量子阱部分具有更好的晶体质量，缓解了多发光量子阱之间的应力差，从而进一步增加了GaN基绿光LED的性能，绿光芯片在20mA下的亮度从480mcd上升到650mcd，芯片的抗静电能力从人体模式的500V提升到人体模式4000v，封装后亮度从3.53lm上升到4.86lm，外量子效率从21%上升到30%。

主权项

高亮度GaN基绿光LED的MQW结构，包括生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InyGaN1‑y/ GaN多量子阱层和p型GaN层，其特征在于在高温n型GaN层与InyGaN1‑y/ GaN多量子阱层之间生长缓冲层，所述缓冲层由低温n型GaN层、InxGa1‑xN /n型GaN超晶格结构层和低温n型GaN层组成，所述低温n型GaN层生长在高温n型GaN层上，InxGa1‑xN /n型GaN超晶格结构层生长在低温n型GaN层上，低温n型GaN层生长在InxGa1‑xN /n型GaN超晶格结构层上。