[发明专利]一种MOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种MOS晶体管的制作方法，先形成MOS晶体管的中间结构，至少包括半导体衬底、两侧具有第一侧墙以及第二侧墙的栅极结构、位于所述第二侧墙外的半导体衬底中的凹槽结构、填充于所述凹槽结构内并具有凸起结构的填充层、形成于填充层中的源区及漏区、以及与源区及漏区相连的浅掺杂源及浅掺杂漏；然后去除所述第二侧墙；最后采用各向同性离子掺杂工艺对所述凸起结构的表面及所述浅掺杂源及浅掺杂漏进行均匀掺杂。本发明通过去除第二侧墙以及各向同性离子掺杂工艺对源、漏表面以及浅掺杂源、漏进行离子补偿，解决由于离子回扩散而造成浅掺杂源漏区域电阻过高问题，并且可以形成具有应力的掺杂层，提高MOS管的性能。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)形成MOS晶体管的中间结构，至少包括：半导体衬底、两侧具有第一侧墙以及第二侧墙的栅极结构、位于所述第二侧墙外的半导体衬底中的凹槽结构、填充于所述凹槽结构内并具有凸起结构的填充层、形成于填充层中的源区及漏区、以及与源区及漏区相连的浅掺杂源及浅掺杂漏,先形成具有第一侧墙以及第二侧墙的栅极结构，后形成浅掺杂源及浅掺杂漏，最后形成源区及漏区；2)去除所述第二侧墙；3)采用各向同性离子掺杂工艺对所述凸起结构的表面及所述浅掺杂源及浅掺杂漏进行均匀掺杂，所述的各向同性离子掺杂工艺为激光诱导原子层掺杂工艺，包括步骤：a)于所述源区、漏区、浅掺杂源及浅掺杂漏表面形成预设离子浓度的外延层；b)通过激光诱导工艺使所述掺杂层中的离子扩散至所述凸起结构、浅掺杂源及浅掺杂漏中以形成掺杂层。