[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310080312.3 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103311286A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 金冈龙范;川原孝昭 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供一种具有非易失性存储器的半导体器件，其具有提高的电性能。存储器栅电极经由绝缘膜被形成在半导体衬底上方。绝缘膜是其中具有电荷存储部的绝缘膜，并包括第一氧化硅膜、在第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在氮化硅膜上方的第二氧化硅膜。金属元素以1×1013至2×1014原子/cm2的表面密度存在于氮化硅膜和第二氧化硅膜之间或氮化硅膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的第一栅电极；以及在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间形成的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在其中包括电荷存储部，其中，所述第一绝缘膜包括第一氧化硅膜、在所述第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在所述氮化硅膜上方的第二氧化硅膜，并且其中，金属元素以1×1013至2×1014原子/cm2的表面密度存在于所述氮化硅膜和所述第二氧化膜之间或所述氮化硅膜中。
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