[发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体封装结构及其制备方法。所述半导体封装结构包括位于半导体衬底上金属互连层；位于所述金属互连层上的金属屏蔽层；位于所述金属屏蔽层上的焊盘层；所述金属屏蔽层为多层叠加结构，所述多层叠加结构中的各层由下至上热膨胀系数递减。所述半导体封装结构具有良好的热力学特性，可有效降低在半导体封装结构制备的退火工艺后，因热胀冷缩造成的金属互连层、以及各金属屏蔽分层的体积变化差异，以及由此造成的各层结晶界面出现的开裂概率，从而避免焊盘剥离现象。而且多层叠加结构的金属屏蔽层具有更好的机械特性，可缓解焊接引线键合工艺产生的各种应力对于半导体器件的有源区域造成的损伤。

主权项

一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，在半导体衬底上形成金属互连层；在金属互连层上形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层为多层叠加结构，多层叠加结构中的各层由下至上热膨胀系数递减，且退火工序中，金属互连层以及多层叠加结构中的各层由下至上，热胀冷缩的体积变化依次递减；在所述金属屏蔽层上形成焊盘层。