[发明专利]一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其包括如下步骤：a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入Ce_xLu_1-x(NO₃)₃乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，Ce_xLu_1-x(NO₃)₃中的x=0.001～0.040；d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。本发明可实现以简单操作、低成本、大面积制备厚度可达30～60微米、且薄膜与衬底结合牢固的掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜，具有应用前景。

主权项

一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入Ce_xLu_1‑x(NO₃)₃乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，Ce_xLu_1‑x(NO₃)₃中的x=0.001～0.040；d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。