[发明专利]一种锗基肖特基结的制备方法无效
| 申请号： | 201310084986.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103151254A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄如;林猛;李志强;安霞;黎明;云全新;李敏;刘朋强;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗基肖特基结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基肖特基结的制备方法，其特征是，对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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