[发明专利]PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜在审
| 申请号： | 201310085165.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103359785A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;渡边敏昭;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01G25/00 | 分类号： | C01G25/00;C04B35/622;C04B35/491 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。 | ||
| 搜索关键词： | pzt 系铁电 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在所述下部电极上制造所述PZT系铁电薄膜，该方法的特征在于，所述临时烧结是使用红外线来进行的，且至少包括：第1保持阶段，从0℃～150℃的温度范围内的温度或者从室温升温而保持在200℃～350℃的温度范围内的温度；和第2保持阶段，从所述第1保持阶段的保持温度升温而保持在比所述第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的温度范围内的温度。
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