[发明专利]一种改良栅结构的晶体管有效
| 申请号： | 201310085224.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103178116A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改良栅结构的晶体管，包括基底和处在基底上的介质层，所述介质层上设有一源区、一漏区以及连通在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区内设有第一顶栅作为晶体管的输出极，其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1，在沟道区截断时为逻辑0；所述晶体管还设有至少两个作为控制沟道区的输入极；其中至少有一个输入极为第二顶栅；还有至少有一个输入极为第三顶栅和/或底栅；所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层上，且处在所述沟道区的旁边。本发明晶体管，能够减少逻辑电路中晶体管的个数，使逻辑电路的制备方法简单，器件面积减少，从而提高逻辑电路的成品率，降低制作成本，并且可以方便改善调整逻辑电路器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
一种改良栅结构的晶体管，包括基底（1）和处在基底（1）上的介质层（3），所述介质层（3）上设有一源区（5）、一漏区（6）以及连通在所述源区（5）和漏区（6）之间的沟道区（7），其特征在于，所述沟道区（7）内设有第一顶栅（4a）作为晶体管的输出极，其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1，在沟道区截断时为逻辑0；所述晶体管还设有至少两个控制沟道区（7）的输入极；其中至少有一个输入极为第二顶栅（4b）；还有至少有一个输入极为第三顶栅（4c）和/或底栅；所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层（3）上，且处在所述沟道区（7）的旁边。
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