[发明专利]TFT阵列基板、TFT阵列基板的制作方法及显示装置有效
申请号: | 201310088468.6 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103219284A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 郭建 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种TFT阵列基板、TFT阵列基板的制作方法及显示装置,以解决现有技术中过多使用掩膜板的问题。本发明提供的TFT阵列基板包括:栅线、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、残余半导体层、信号线和形成在信号线和残余半导体层上的过孔,该过孔的侧壁使栅绝缘层、信号线和残余半导体层的侧断面暴露,底面使栅线表面暴露,并且过孔内形成有使信号线与栅线电性连接的搭接导电层。本发明中采用一次构图工艺形成位于栅电极上方的有源层、源极和漏极,以及位于栅线上方的残余半导体层和覆盖残余半导体层的信号线,能够减少掩膜板的使用。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板的制作方法,其特征在于,该方法包括:在基板上形成栅线和栅电极,并在所述栅线和所述栅电极上方形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上方依次沉积半导体层和金属层,采用一次构图工艺形成位于所述栅电极上方的有源层、源极和漏极,以及位于所述栅线上方的残余半导体层和覆盖所述残余半导体层的信号线;对所述信号线、位于信号线下方的残余半导体层以及栅绝缘层进行构图工艺,形成过孔,使所述栅线表面、所述信号线的侧断面和所述位于信号线下方的残余半导体层的侧断面暴露;在所述过孔位置处形成搭接导电层,使所述信号线与所述栅线电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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