[发明专利]DRAM自刷新方法无效
| 申请号： | 201310088727.5 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103187091A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DRAM自刷新方法，主要解决了现有DRAM在进行自刷新时，仅刷新存储单元存储数据而不进行读写操作从而导致了历史噪声对单元的影响以及DM对ECC的限制的问题。该DRAM自刷新方法包括以下步骤：1]对存储单元中的字线进行激活；2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不存在错误，则进行下个字线的激活，若存在错误，则进行错误纠正，并将纠正后的正确数据写回存储单元中，然后进行下个字线的激活。本发明提供的DRAM自刷新方法可在字线被激活的时间里同时进行读写操作，进行读写操作的次数取决于字线的激活时间和工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 刷新 方法 | ||
【主权项】：
一种DRAM自刷新方法，其特征在于，包括以下步骤：1]对存储单元中的字线进行激活；2]读出激活的字线上的数据和监督位，并通过解码判断字线上的数据和监督位是否存在错误，若不存在错误，则进行下个字线的激活，若存在错误，则进行错误纠正，并将纠正后的正确数据写回存储单元中，然后进行下个字线的激活。
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