[发明专利]一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元无效
| 申请号： | 201310090971.5 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137201A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李力南;翁宇飞;王子欧 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，由两个单一NVM存储单元连接辅以偏置的电源和输入输出电路组成，所述单一NVM存储单元为浮栅型架构，包括在浮栅上的充当选通以及偏置作用的选择晶体管、编程晶体管和以电容接法与编程晶体管栅极共享的控制晶体管。本发明采用差分架构，减小管子尺寸，表面上管子的数目增加了一倍，整体上对管子的要求降低，存储单元的面积变化不会很大，降低其工作电压，工作电压的降低必然使得功耗降低，稳定性得到明显改进，具有很重要的研究意义和广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 逻辑 工艺 兼容 架构 nvm 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种标准逻辑工艺兼容的差分架构NVM存储器单元，其特征在于：由两个单一NVM存储单元连接辅以偏置的电源和输入输出电路组成，所述单一NVM存储单元为浮栅型架构，包括在浮栅上的充当选通以及偏置作用的选择晶体管、编程晶体管和以电容接法与编程晶体管栅极共享的控制晶体管。
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