[发明专利]用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法无效
| 申请号： | 201310093472.1 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103166105A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘媛媛;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法，其中用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙；一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。本发明具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，同时由于硅表面易于做到很高的光洁度，与半导体器件更加容易形成良好的接触，从而散热效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大功率 半导体激光器 封装 硅热沉 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括： 一硅片； 一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面； 一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面； 一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙； 一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。
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