[发明专利]存储器及其存储阵列、访问控制方法和访问控制电路有效
申请号: | 201310095400.0 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103236269B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 杨光军;顾靖 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴靖靓,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种存储器及其存储阵列、访问控制方法和访问控制电路。所述存储阵列,包括多个字节单元、多条位线、控制栅线及字线,同一字节单元中各存储单元的第一存储位和第二存储位的控制栅极共用一条控制栅线,同一行存储单元的中间电极共用一条字线。所述存储阵列的访问控制方法包括执行下述步骤以擦除目标字节各存储单元内的数据加载第一控制电压至与所述目标字节单元中各存储单元连接的控制栅线,对其他控制栅线加载第二控制电压,所述第一控制电压低于零电位,所述第二控制电压高于零电位;分别对与所述目标字节单元各存储单元连接的两条位线置零,对其他位线加载第一位线电压。本发明技术方案能够减小存储器各字节单元之间的间隔距离。 | ||
搜索关键词: | 存储器 及其 存储 阵列 访问 控制 方法 控制电路 | ||
【主权项】:
一种存储阵列的访问控制方法,其特征在于,所述存储阵列包括:多个字节单元,所述字节单元包括多个存储单元,所述存储单元包括第一存储位、第二存储位及所述第一存储位与第二存储位共用的中间电极;所有存储单元按行和列排布;多条位线,各存储单元连接相邻的两条位线;多条控制栅线,同一字节单元中各存储单元的第一存储位和第二存储位的控制栅极共用一条控制栅线;多条字线,同一行存储单元的中间电极共用一条字线;所述存储阵列的访问控制方法包括执行下述步骤以擦除目标字节单元中各存储单元内的数据:加载第一字线电压至与目标字节单元中各存储单元连接的字线,对其他字线置零;加载第一控制电压至与所述目标字节单元中各存储单元连接的控制栅线,对其他控制栅线加载第二控制电压,所述第一控制电压低于零电位,所述第二控制电压高于零电位;分别对与所述目标字节单元中各存储单元连接的两条位线置零,对其他位线加载第一位线电压。
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