[发明专利]沟槽型功率晶体管及其制作方法

摘要

针对现有的制作工艺形成的沟槽型功率晶体管易出现漏电流过大问题，本发明人对其产生原因进行了分析，发现其中一个原因为：对功率晶体管沟槽外的多晶硅和栅极氧化层进行平坦化处理时，上述平坦化处理一般采用研磨法，例如化学机械研磨（CMP），对于栅极氧化层较薄的情况，上述研磨会由于终点难以检测，造成功率晶体管沟槽开口处的多晶硅及周围外延层出现过度研磨，从而造成功率晶体管的沟道过短，出现短沟道效应。针对上述问题，本发明提出一种新的沟槽型功率晶体管及其制作方法，其制作方法在外延层上至少形成研磨终止层，利用其对研磨过程进行终点检测，从而避免过度研磨问题，也避免了制作的功率晶体管的短沟道效应，减小了源-漏漏电流。

主权项

一种沟槽型功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上自下而上形成遮蔽氧化层与研磨终止层；采用光刻、刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；在所述沟槽内侧壁形成栅极氧化层；在所述沟槽内填入栅极材料层，并研磨去除所述沟槽外的多余栅极材料层，所述研磨工艺以研磨终止层为研磨终点。