[发明专利]栅格扇出晶圆级封装和制造栅格扇出晶圆级封装的方法有效
| 申请号： | 201310101471.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367274A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | T.迈耶 | 申请（专利权）人： | 英特尔移动通信有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/48;H05K1/18;H05K3/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;王忠忠 |
| 地址： | 德国诺*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在本发明的各种方面中，可提供芯片封装布置。该芯片封装布置可包括：邻接电介质层的具有至少一个裸片的电介质层；在该裸片上的至少一个接合区域，该接合区域通过电介质层被暴露；包括第一热膨胀系数的第一材料，该第一材料基本上围绕该裸片且邻接该电介质层；包括第二热膨胀系数的第二材料，该第二材料基本上围绕该裸片和该第一材料；以及电连接到该裸片的至少一个导电迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 栅格 扇出晶圆级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装布置，包括：电介质层；邻接该电介质层的至少一个半导体器件；在该至少一个半导体器件上的至少一个接合区域，该接合区域通过电介质层被暴露；包括第一热膨胀系数的第一材料，该第一材料基本上围绕该至少一个半导体器件且邻接该电介质层；包括第二热膨胀系数的第二材料，该第二材料基本上围绕该至少一个半导体器件和该第一材料；以及电连接到该至少一个半导体器件的至少一个导电迹线。
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