[发明专利]半导体封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201310101924.6 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367271A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | T.菲舍尔;H.格鲁贝尔;U.赫克勒;J.马勒;A.普吕克尔;M.施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体封装及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体封装的方法包括提供在顶表面上但是未在相反底表面上具有接触区域的第一管芯。在第一管芯的底表面之下沉积电介质衬垫层。用沉积的电介质衬垫层将第一管芯附着到衬底的管芯焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：嵌入封装剂内并且在衬底之上设置的第一管芯；在所述第一管芯之下以及在所述第一管芯与所述衬底之间设置的电介质衬垫层，其中所述电介质衬垫层完全覆盖所述第一管芯的底表面；并且在所述衬底与所述电介质衬垫层之间设置的结合层。
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