[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法有效
申请号: | 201310103017.5 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078556B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 罗杏芬;陈隆欣 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤提供一金属板,在所述金属板上形成若干相互绝缘的电极板,在每相邻两电极板上电连接一发光二极管芯片;在金属板上形成若干凸起部,每一凸起部环绕一发光二极管芯片并形成容置发光二极管芯片的凹陷部;在凸起部下方形成覆盖电极板的基板;形成封装层于凹陷部内;以及切割基板形成若干个发光二极管封装结构。采用上述方法可易于制造尺寸较小的发光二极管封装结构。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供一金属板,在所述金属板上形成若干相互间隔的绝缘带,从而使该金属板分隔成若干相互绝缘的电极板,在每相邻两电极板上电连接一发光二极管芯片;在金属板上冲压出若干凸起部,每一凸起部环绕一发光二极管芯片并形成容置发光二极管芯片的凹陷部;在凸起部下方及相邻两发光二极管芯片的相邻两凸起部之间形成覆盖电极板的基板;形成封装层于凹陷部内;以及切割基板形成若干个发光二极管封装结构。
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