[发明专利]集成电路装置及用以使用于该集成电路装置中的方法

摘要

本发明公开了一种集成电路装置及用以形成层间连接件于三维叠层集成电路装置中的方法。该集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件；层间连接件自装置的一表面延伸至导电层；多个接触开口建立而贯穿一介电层至一第一导电层；N个刻蚀掩模具有分隔的多个开放刻蚀区及位于他处的多个掩模区，2N-1小于W且2N大于或等于W；层所形成的叠层是以仅贯穿W-1个接触开口而建立多个延伸接触开口，延伸接触开口延伸至W-1个导电层；利用各刻蚀掩模来透过至少半数的接触开口而刻蚀2n-1个导电层，n＝1、2...N；接触开口是以刻蚀掩模的不同组合的开放刻蚀区来进行刻蚀；层间连接件形成于接触开口内。

主权项

一种方法，用以使用于一集成电路装置，包括一由多个介电/导电层形成的叠层，以形成多个层间连接件，该多个层间连接件自该集成电路装置的一表面延伸至该多个导电层，该方法包括：建立分隔的多个接触开口于该集成电路装置的一接触区域内，而贯穿一介电层并以一介电层材料分隔各该接触开口，该多个接触开口位于一导电层上，用于W个该多个导电层的每一个；该多个接触开口的该建立步骤包括向下建立一第一接触开口至一第一导电层；利用一组N个刻蚀掩模，2N‑1小于W且2N大于或等于W，该多个刻蚀掩模具有多个掩模区及分隔的多个开放刻蚀区，该多个开放刻蚀区对应于选择的该多个接触开口；利用N个该多个刻蚀掩模来刻蚀由该多个介电/导电层形成的该叠层，以仅贯穿W‑1个该多个接触开口而建立多个延伸接触开口，该多个延伸接触开口延伸至W‑1个该多个导电层；该刻蚀步骤包括利用各该刻蚀掩模来透过至少半数的该多个接触开口而刻蚀2n‑1个该多个导电层，n＝1、2...N；该刻蚀步骤是执行，使得该多个接触开口是以该多个刻蚀掩模的不同组合的该多个开放刻蚀区来进行刻蚀；以及形成该多个层间连接件于该第一接触开口内及该多个延伸接触开口内，以电性连接于各该导电层。