[发明专利]半导体集成电路及其设计方法有效
| 申请号： | 201310108964.3 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103366041B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 白尚训;徐在禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体集成电路及其设计方法。根据本发明思想的示例性实施例，设计半导体集成电路的方法包括：创建对多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变；以及将标记层应用到先前创建的布局，以便生成在宽度、高度和与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件的新的库。标记层可以是基于所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设计半导体集成电路的方法，所述方法包括步骤：从布局数据库提供先前创建的半导体集成电路的布局，所述布局包括彼此相邻布置的多个单元,所述多个单元中的每一个指示半导体集成电路中的多个半导体器件；创建对所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，其中，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变，并且其中，所述标记层基于所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变；以及通过将所述标记层应用到所述布局中的所述多个单元中的所选单元来生成所述半导体集成电路的新的库，所述新的库指示所述半导体集成电路中的多个半导体器件当中的在宽度、高度和与所述半导体集成电路中的相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件，其中，所述标记层指示出以下中的至少一个：所述至少一个半导体器件的边界；以及包括了所述至少一个半导体器件的单元的边界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310108964.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
