[发明专利]一种基于PD SOI 的二极管辅助触发ESD 保护电路

摘要

本发明公开了一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，在该结构中，栅极采用条形栅结构，漏区和源区采用漏深源浅非对称结构，在漏端一侧，除了进行深N+注入外，还在漏端边侧和中间进行P+注入，以形成P+N+二极管；在源端，同样采取N+和P+间隔注入的方式，但源端的P+注入不应太宽，且应该和漏端相对应的N+的中间位置对齐。源端的N+和P+无需通过SAB层覆盖，在进行硅化物工艺时可以短接在一起以形成体接触。该结构具有可调开启电压、抗辐照能力强、导通均匀性好和消除边缘漏电等优点，可以有效地应用于输入PAD、输出PAD以及电源和地之间的ESD保护。

主权项

一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，其特征在于，包括隔离氧化层和栅极，栅极为条形栅结构，由栅极氧化层上生长多晶硅poly层组成；栅极一侧为漏区，栅极另一侧为源区；漏区包括N+注入和P+注入，P+注入设在漏区边侧和中间，P+注入区域不引出，漏区P+注入区域覆盖有SAB层；P+注入之间为N+注入，N+注入穿通漏区的隔离氧化层；并对漏区N+和P+注入区域靠近栅极端覆盖SAB层；源区包括连接形成体接触的N+注入和P+注入，N+注入和P+注入相互间隔，其中源区两侧为N+注入，P+注入位置与漏区的N+注入的中间位置对齐，N+注入深度为隔离氧化层的1/3～1/2，P+注入与N+注入的宽度比为1:10～1:5。