[发明专利]一种低熔点金属的气化镀膜方法有效

专利信息
申请号: 201310112484.4 申请日: 2013-04-01
公开(公告)号: CN103205715A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 谢振华 申请(专利权)人: 谢振华
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/14
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 曾少丽
地址: 214200 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种低熔点金属的气化镀膜方法,是通过以下的步骤实现的:(1)将镀层的低熔点金属放入金属熔化池中进行熔化,设置金属熔化池温度为250~850℃,至镀层低熔点金属沸腾后气化;(2)将待镀金属通入与所述金属熔化池连通的加热炉,所述镀层金属气体进入充满保护性气体的加热炉自主附着在待镀金属表面上;(3)镀膜完成后具有镀层的金属通入充满保护性气体冷却装置进行冷却。本发明是结合了热镀与真空镀的优点,镀层完整,镀层厚度可调整,镀层均匀,相对于电镀工艺大量节约资源而且环保。
搜索关键词: 一种 熔点 金属 气化 镀膜 方法
【主权项】:
一种低熔点金属的气化镀膜方法,其特征在于是通过以下的步骤实现的:(1)将镀层的低熔点金属放入金属熔化池中进行熔化,设置金属熔化池温度为250~850℃,至镀层低熔点金属沸腾后气化;(2)将待镀金属通入与所述金属熔化池连通的加热炉,所述镀层金属气体进入加热炉自主附着在待镀金属表面上;(3)电镀完成后具有镀层的金属通入冷却装置进行冷却。
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