[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310113669.7 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103630A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪;王西宁;刘凌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。本发明的半导体器件能够提高屏蔽能力、减少衬底损耗，提高半导体器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310113669.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种片上变压器
- 下一篇：半导体功率器件的导线强化焊接结构
