[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310113967.6 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103681553A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 廖宗仁 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置，该装置包含一半导体元件具有一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面，以及设置于该半导体元件上之一导电孔。该半导体元件包含一晶粒、设置于该第一表面上的一第一线路层、以及设置于该半导体元件之第二表面上的一第二线路层。该导电孔自该第二表面延伸且电连接该第一线路层与第二线路层，其中该导电孔两端之孔径尺寸不同且该晶粒可透过该导电孔与另一半导体装置电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该装置包含：一半导体元件，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，该半导体元件包含：一晶粒；一第一线路层，设置于该半导体元件之第一表面上；以及一第二线路层设置于该半导体元件之第二表面上；以及一设置于该半导体元件上之导电孔，该导电孔自该第二表面延伸且电连接该第一线路层与第二线路层，其中该晶粒可透过该导电孔与另一半导体装置电连接。
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