[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310117218.0 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103219391A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张立;姜春生;王东方;陈海晶;刘凤娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管（TFT）及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提供一种结构简单、性能较佳的TFT。本发明提供的薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的有源层；形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的有源层；形成在所述有源层上可导电的第一接触层和第二接触层；形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀阻挡层；形成在所述刻蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、与所述第二接触层相连的漏极，以及位于所述源极和漏极之间的栅极；以及形成在所述源极、漏极和栅极上的保护层。
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