[发明专利]显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法有效
申请号: | 201310119477.7 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN104103643B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕;黄建达 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种显示面板以及其包含的薄膜晶体管基板的制备方法,其中该显示面板包括一种薄膜晶体管基板,而该薄膜晶体管基板的制备过程中,是于源极及漏极与多晶硅层间形成一金属薄膜层,并于退火工艺中,同时掺杂以及活化多晶硅层,而形成金属硅化物,如此可降低显示面板整体的工艺温度于400℃以下。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 包含 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种显示面板,包括一薄膜晶体管基板,其中,该薄膜晶体管基板包括:一基板;一第一金属层,形成于该基板上;一绝缘层,形成于该基板以及该第一金属层上;一多晶硅层,形成于该绝缘层上;一第二金属层,形成于该多晶硅层及该绝缘层上;一金属薄膜层,形成于该第二金属层与该多晶硅层之间;以及一金属硅化物,形成于该多晶硅层与该金属薄膜层之间;其中该第二金属层包括一源极及一漏极,对应于该源极的该金属硅化物与对应该漏极的该金属硅化物间的距离介于1μm至20μm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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