[发明专利]ReRAM器件结构有效
| 申请号： | 201310121335.4 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367636B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 洪庄敏;库-米恩·昌;周峰 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李佳,穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种ReRAM器件结构。电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括第一金属层。所述第一金属层有第一金属以及在所述第一金属层上的金属氧化物层。所述金属氧化物层包括所述第一金属。所述ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层以及物理接触金属氧化物层的第一金属层的侧壁的第一连续导电阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | reram 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器ReRAM，包括：第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；位于所述第一金属层上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层包括所述第一金属；位于所述金属氧化物层上方的第二金属层；第一连续导电阻挡层，所述第一连续导电阻挡层物理接触所述第一金属层的侧壁以及所述金属氧化物层的侧壁；以及第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述第一金属层的所述侧壁以及所述金属氧化物层的所述侧壁，其中所述第一连续导电阻挡层位于所述第一电介质层与所述第一金属层以及所述金属氧化物层的所述侧壁之间；以及第二连续导电阻挡层，所述第二连续导电阻挡层物理接触所述第二金属层的侧壁并且与所述第一连续导电阻挡层电隔离。
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