[发明专利]一种晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种晶体管制造方法，其包括半导体衬底以及半导体衬底上的栅极结构上方依次形成Barc层和图案化的光刻胶层，其中在位于半导体衬底上的栅极结构的上方形成Barc层之前，先于所述栅极结构上方形成一层保护层。之后，在以所述光刻胶层为掩膜，采用含有HBr的气体为刻蚀气体去除所述Barc层过程中，既可确保光刻胶层不被过度腐蚀，以确保光刻胶层上的开口尺寸，又可有效避免栅极结构的硬掩膜层和侧墙受到含有HBr的刻蚀气体的过度刻蚀损伤，以保护栅极结构的栅电极层，并确保半导体器件后续制造过程的顺利进行。

主权项

一种晶体管制造方法，其特征在于，包括：在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述半导体衬底及栅极结构的表面，由下至上形成第一掩膜层、保护层、Barc层；在所述NMOS区域覆盖光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，采用含有HBr的混合气体刻蚀所述Barc层，以去除位于所述PMOS区域的Barc层；继续以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述保护层和第一掩膜层，直至露出所述半导体衬底；以所述栅极结构为掩膜刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口内填充应力材料，形成应力层。