[发明专利]高压 ED NMOS 元件嵌入高压横向 NJFET有效
| 申请号： | 201310126266.6 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103928463A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;陈立凡;林镇元 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET及其制造方法，该高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET包含一高压(HV)n型金属氧化物半导体(NMOS)嵌入HV结栅极场效应晶体管(JFET)的半导体装置被提供。根据第一示例实施例，具有嵌入HV JFET的HV NMOS可包含衬底、被设置为邻近该衬底的N型阱区、被设置为邻近该N型阱区的P型阱区、以及被设置为邻近该N型阱区且在该P型阱区相对侧的第一及第二N+掺杂区。该P型阱区可包含P+掺杂区、第三N+掺杂区以与栅极结构，该第三N+掺杂区介于该P+掺杂区以及该栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ed nmos 元件 嵌入 横向 njfet | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一P型衬底；一N型阱区，被设置为邻近该衬底；一P型阱区，被设置为邻近该N型阱区；以及第一及第二N+掺杂区，被设置为邻近该N型阱以及在该第一及第二P型阱区的相对侧；其中该P型阱区包含一P+掺杂区、一第三N+掺杂区以及一栅极结构，该第三N+掺杂区介于该P+掺杂区以及该栅极结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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