[发明专利]一种RC滤波器制造工艺无效
| 申请号： | 201310136846.3 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104112709A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 孙芳魁;袁晓飞;吴迪;姜巍;徐榕滨;许巍;王宏婧 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工大华生电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150028 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低温度系数滤波器制造工艺，属于电子元器件制造领域。在RC滤波器的制造过程中，氧化层的生长采用干氧-湿氧-干氧的工艺，制造出厚度均匀的氧化层，保证电容精度。多晶硅的掺杂采用三氯氧磷掺杂工艺，调节方块电阻以制造出接近零温度系数的多晶硅。最终降低了产品的温度系数，提高产品的温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rc 滤波器 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种RC滤波器制造工艺，其特征在于，包括：提供P型硅片；在所述P型硅片上进行硼（B）扩散，制造P+区；在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极；在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工大华生电子有限公司，未经哈尔滨工大华生电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310136846.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
