[发明专利]复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310140721.8 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103257161A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 梁喜双;张含;卢革宇 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由作为绝缘层的Al2O3陶瓷管、设置在Al2O3陶瓷管内部的镍镉合金加热丝、涂覆在Al2O3陶瓷管表面的第一NASICON离子导电层、制备在第一NASICON离子导电层表面的敏感电极、涂覆在敏感电极及第一NASICON离子导电层表面的第二NASICON离子导电层、制备在第二NASICON离子导电层表面的钝化参考电极组成，其中敏感电极为环形网状的Au材料，钝化参考电极由环形网状的Au材料及在其上涂覆的一层复合金属氧化物电极材料CoCrxMn2-xO4构成。其可用于大气气氛中氢气浓度的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 金属 氧化物 钝化 参考 电极 埋藏 nasicon sub 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器，其特征在于：由作为绝缘层的Al2O3陶瓷管、设置在Al2O3陶瓷管内部的镍镉合金加热丝、涂覆在Al2O3陶瓷管表面的第一NASICON离子导电层、制备在第一NASICON离子导电层表面的敏感电极、涂覆在敏感电极及第一NASICON离子导电层表面的第二NASICON离子导电层、制备在第二NASICON离子导电层表面的钝化参考电极组成，其中敏感电极为环形网状的Au材料，钝化参考电极由环形网状的Au材料及在其上涂覆的一层复合金属氧化物电极材料CoCrxMn2‑xO4构成，其中0.8≤x≤1.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310140721.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：振动给料机
- 下一篇：一种易分解的刮板机星轮
