[发明专利]基板处理装置用托盘无效

专利信息
申请号: 201310141613.2 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN103377978A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 金洪习 申请(专利权)人: 杰荷拉公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及基板处理装置用托盘,其构成包括:配备有基板安置部(61a)和基板冷气注入路(61b)的下部板(61)、具有贯通孔(62a)的上部板(62)、在所述下部板(61)的上面与上部板(62)的下面之间形成的空隙(63)、温度上升抑制装置。因此,通过配备温度上升抑制装置,以便向下部板的上面与上部板的下面之间的空隙供应氦气,能够抵制因等离子体的加热而造成的上部板的温度上升,从而能够根本上抑制上部板的温度上升,同时能够防止基板的歪曲现象,因而能够保持均一的基板钳位,并能够防止氦气泄漏现象,结果获得使得能够预先切断在基板上形成的图案损伤,能够促进全面提高产品质量及因而提高可靠性等效果。
搜索关键词: 处理 装置 托盘
【主权项】:
一种基板处理装置用托盘,包括:下部板,其配备有基板安置部和基板冷气注入路,其中,所述基板安置部在上面安置基板,所述基板冷气注入路从所述基板安置部的底面向下方的外部贯通,使外部的氦气注入到基板的下面;以及上部板,其在基板配置于所述基板安置部的状态下覆盖所述下部板的上面,利用连结件固定于所述下部板,为使除所述基板的外缘的其余中央部暴露于外部的等离子体而具有相应部位上下贯通的贯通孔;而且,在所述下部板的上面与上部板的下面之间形成有空隙,其特征在于:还具备用于抑制因所述等离子体的加热而造成所述上部板的温度上升的温度上升抑制装置。
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