[发明专利]基板处理装置用托盘无效
申请号: | 201310141613.2 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103377978A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 金洪习 | 申请(专利权)人: | 杰荷拉公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及基板处理装置用托盘,其构成包括:配备有基板安置部(61a)和基板冷气注入路(61b)的下部板(61)、具有贯通孔(62a)的上部板(62)、在所述下部板(61)的上面与上部板(62)的下面之间形成的空隙(63)、温度上升抑制装置。因此,通过配备温度上升抑制装置,以便向下部板的上面与上部板的下面之间的空隙供应氦气,能够抵制因等离子体的加热而造成的上部板的温度上升,从而能够根本上抑制上部板的温度上升,同时能够防止基板的歪曲现象,因而能够保持均一的基板钳位,并能够防止氦气泄漏现象,结果获得使得能够预先切断在基板上形成的图案损伤,能够促进全面提高产品质量及因而提高可靠性等效果。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 托盘 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置用托盘,包括:下部板,其配备有基板安置部和基板冷气注入路,其中,所述基板安置部在上面安置基板,所述基板冷气注入路从所述基板安置部的底面向下方的外部贯通,使外部的氦气注入到基板的下面;以及上部板,其在基板配置于所述基板安置部的状态下覆盖所述下部板的上面,利用连结件固定于所述下部板,为使除所述基板的外缘的其余中央部暴露于外部的等离子体而具有相应部位上下贯通的贯通孔;而且,在所述下部板的上面与上部板的下面之间形成有空隙,其特征在于:还具备用于抑制因所述等离子体的加热而造成所述上部板的温度上升的温度上升抑制装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰荷拉公司,未经杰荷拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310141613.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装载板
- 下一篇:片材粘附系统和片材粘附方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造