[发明专利]一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法有效
申请号: | 201310143617.4 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN104124128B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 陈妙娟;左涛涛;高颖;徐朝阳;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/244 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种多腔室等离子处理装置,其中,所述等离子处理装置包括至少两个子腔室,在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口,在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程,其中,所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置,其分别连接于所述每个子腔室,在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。本发明还提供了用于上述多腔室等离子处理装置的压力测试方法。本发明的测试机制能够单独对多腔室等离子处理装置的每个子腔室进行单独测试,准确度得到了提高,并且能够延长压力测试装置的使用寿命。 1 | ||
搜索关键词: | 等离子处理装置 多腔室 压力测试装置 子腔室 压力测试 腔室 等离子处理腔室 测试机制 使用寿命 准确度 隔离壁 室内部 阀门 制程 子腔 串联 开口 测试 | ||
【主权项】:
1.一种多腔室等离子处理装置,其中,所述等离子处理装置包括至少两个子腔室,在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口,在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程,其特征在于,所述等离子处理装置上设置有一压力测试装置,其分别连接于所述每个子腔室,在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门,所述压力测试装置能够单独测试任一个子腔室的腔室压力。
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