[发明专利]带隙基准电路有效
申请号: | 201310150190.0 | 申请日: | 2013-04-26 |
公开(公告)号: | CN104122918A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 姚爱萍;张金勇;王磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 宋鹰武 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种带隙基准电路,其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。本发明的带隙基准电路通过负反馈电路为带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压,同时在内部采用自偏置共源共栅放大电路来提高电源抑制比,节省了面积和功耗。 | ||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准电路,其特征在于:其包括,一基准电压源VREF,所述基准电压源VREF拉伸门电压V_REG实现内部预稳压,并形成内部预稳压电路;一带隙核心电路,所述带隙核心电路设有提高电源抑制比的自偏置共源共栅放大电路;一负反馈电路,所述负反馈电路为所述带隙核心电路提供一个经过稳压后的电源电压VDD;一启动电路,所述启动电路在工作开始时拉伸所述基准电压源VREF使得所述自偏置共源共栅放大电路正常工作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院,未经中国科学院深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310150190.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。