[发明专利]光掩模坯料及其制造方法有效
申请号: | 201310150443.4 | 申请日: | 2013-04-26 |
公开(公告)号: | CN103376642A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 深谷创一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料,其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。首先,沉积相移膜(S101),接着,在260℃至320℃的温度范围内对所述相移膜进行热处理四小时以上(S102),并且然后在其上进行闪光照射处理(S103)。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104),由此获得光掩模坯料(S105)。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模坯料,其中在对曝光的光透明的衬底上形成有包含至少一种功能性透明膜的层压体,其中:在如下步骤中的任一个步骤之后,对所述层压体进行至少一次热处理:沉积所述功能性透明膜的步骤;在沉积所述功能性透明膜之后进行至少一次闪光照射处理的步骤;以及在其上形成与所述功能性透明膜不同的功能性膜的层以形成所述层压体的步骤。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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