[发明专利]具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局有效
| 申请号： | 201310153862.3 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377883A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 彭永州;周文升;黄睿政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局，其中，将多个单位单元配置为具有部件密度的阵列。阵列的一个或多个边缘与第一边缘子阵列邻接，第一边缘子阵列的部件密度小于阵列的部件密度。第二边缘子阵列与第一边缘子阵列邻接，第二边缘子阵列的部件密度小于第一边缘子阵列的部件密度并且接近背景电路的部件密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密度 梯度 平滑 mos 阵列 边缘 布局 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件阵列的多阶梯密度梯度平滑的方法，包括：将多个单位单元配置为阵列，各个单位单元均具有一部件密度；在所述阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第一密度梯度单元配置为第一边缘子阵列，各个第一密度梯度单元的部件密度均小于所述单位单元的部件密度；以及在所述第一边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第二密度梯度单元配置为第二边缘子阵列，各个第二密度梯度单元的部件密度均小于所述第一密度梯度单元的部件密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
