[发明专利]硅释放工艺

摘要

本发明公开了一种硅释放工艺，通过干法深槽刻蚀设备实现，包括如下步骤提供需要进行硅释放的器件，并在所述器件需要进行硅释放的位置覆盖掩模；在刻蚀气体的气氛下，对所述器件进行刻蚀工艺；在保护气体的气氛下，对所述器件进行沉积工艺；重复刻蚀工艺和沉积工艺，直至器件底部的硅完全释放干净，完成所述硅释放工艺。这种硅释放工艺采用干法深槽刻蚀设备来实现器件底部的硅的释放，相对于传统的采用湿法药液腐蚀来进行硅释放的方法，可控性高、作业周期短，产能较高。

主权项

一种硅释放工艺，其特征在于，通过干法深槽刻蚀设备实现，包括如下步骤：提供需要进行硅释放的器件，并在所述器件需要进行硅释放的位置覆盖掩模；在刻蚀气体的气氛下，对所述器件进行刻蚀工艺；在保护气体的气氛下，对所述器件进行沉积工艺；重复刻蚀工艺和沉积工艺，直至器件底部的硅完全释放干净，完成所述硅释放工艺；所述刻蚀工艺中，通过控制所述刻蚀气体的上电极功率、所述刻蚀气体的上电极电压、所述刻蚀气体的下电极的功率、所述刻蚀气体的下电极的电压以及所述刻蚀气体的流量来调整硅释放的速率；所述沉积工艺中，通过控制所述保护气体的上电极功率、所述保护气体的上电极电压、所述保护气体的下电极的功率、所述保护气体的下电极的电压以及所述保护气体的流量来调整硅释放的角度；所述保护气体的上电极功率为所述干法深槽刻蚀设备的最大功率的1/3，所述保护气体的上电极电压为所述干法深槽刻蚀设备的最大电压的1/3，所述保护气体的下电极功率设置为0W～5W或所述保护气体的下电极电压设置为0V～5V；所述刻蚀气体的上电极功率为所述干法深槽刻蚀设备的最大功率的最大值，所述刻蚀气体的上电极电压为所述干法深槽刻蚀设备的最大电压的最大值；所述刻蚀气体的下电极功率设置为0W～5W或所述刻蚀气体的下电极电压设置为0V～5V；单次的所述刻蚀工艺和单次的所述沉积工艺的时间比例设置为8:1；所述刻蚀工艺中，SF6的流量为所述干法深槽刻蚀设备的最大流量的1/2；所述保护气体为C4F8；所述沉积工艺中，C4F8的流量为10sccm～50sccm。